一、基础信息总览

品牌 / 系列：台湾 Cervoz（仕锠）工业级 DDR3 SO-DIMM 内存条。产品：型号 CIR-S3SUSOM1602G（Art. Nr. 158502），容量 2GB，204pin 小型双列直插内存模块；DDR3-1600（PC3-12800，数据率 1600MT/s）、单 Rank、非 ECC、无缓冲；采用 Samsung 256M×8bit FBGA 颗粒，8 层 PCB；双电压 1.5V/1.35V（兼容标准 DDR3 与低电压 DDR3L）；工作温度 0°C 至 +85°C（工业宽温）；67.6×30mm 标准 SO-DIMM 尺寸；适用于工业计算机、嵌入式系统、工控机及笔记本的高可靠内存扩展。

二、核心参数总表

表格

三、核心产品优势

• 工业宽温稳定：0–85°C 工作温度，8 层 PCB + Samsung 颗粒，适合长时间高可靠运行

• 双电压兼容：1.5V/1.35V 自适应，同时支持标准 DDR3 与低功耗 DDR3L 平台

• 标准 SO-DIMM 即插即用：204pin、67.6mm 标准尺寸，互换 / 扩展方便

• 1600MHz 高速：PC3-12800、单 Rank、CL11，带 ODT/ZQ/SPD，信号完整、兼容性好

四、典型应用场景

• 工业计算机 / IPC：工控机、HMI、工业平板的内存扩展

• 嵌入式系统：嵌入式主板、BOX PC、网关、自助终端

• 自动化 / 数控：数控机床、机器人控制器、检测设备

• 移动 / 加固平台：笔记本、加固计算机、车载 / 户外设备的宽温内存

五、产品简介

Cervoz CIR-S3SUSOM1602G 为台湾 Cervoz 生产的工业级 DDR3 SO-DIMM 内存条，Art. Nr. 158502。容量 2GB，组织为 256M Words × 64bit、单 Rank，采用 Samsung 256M×8bit DDR3 SDRAM（FBGA 封装），焊接于 204 针、8 层玻璃环氧基板，为无缓冲、非 ECC 模块。数据速率 1600MT/s（DDR3-1600 / PC3-12800），CAS 延迟 CL11（可支持 CL6–11），时序 11-11-11；双电压设计，支持 1.5V 标准 DDR3 与 1.35V 低电压 DDR3L。模块具备全差分时钟（CK/CK#）、差分数据选通（DQS）、串行在线检测（SPD EEPROM）、8 个独立 Bank、片上终端（ODT）、异步复位与 ZQ 校准，支持突发长度 4/8、8bit 预取，8K 刷新 / 64ms。外形为标准 SO-DIMM，67.6×30.0mm，工作温度 0–85°C（工业宽温），RoHS 合规。该内存专为工业与嵌入式平台的高可靠内存扩展设计，典型用于工控机 / 工业平板、嵌入式 BOX PC / 网关 / 自助终端、数控机床 / 机器人控制器，以及笔记本 / 加固计算机和车载户外宽温设备，是 Cervoz 工业内存中 2GB、DDR3-1600、204pin、双电压、单 Rank SO-DIMM 的标准选择。

附注：

1. 本模块为 非 ECC、无缓冲、单 Rank，不能用于要求 ECC 纠错或 Registered / 缓冲内存的服务器平台。

2. 1.5V/1.35V 双电压使其可同时插入标准 DDR3 与 DDR3L 插槽；实际运行电压由主板 / SPD 决定。

3. 工业宽温 0–85°C 区别于消费级（通常 0–70°C），选型时需确认平台散热与温度等级匹配。